АДМИТТАНС МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ P-HG_(1-Х)CD_ХTE (X = 0.22-0.23) В РЕЖИМЕ СИЛЬНОЙ ИНВЕРСИИ~1

摘要

Исследован адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ (молекулярно-лучевая эпитаксия) p-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии при температурах 8-140 К. Из измерений адмиттанса определены зависимости величин основных элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии от температуры и напряжения смещения. Показано, что для МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.23), легированного As до концентрации 10~(17) см~(-3), дифференциальное сопротивление области пространственного заряда в диапазоне температур 8-100 К ограничено процессами туннельной генерации. Установлено, что для МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.22) с концентрацией дырок (8-9)·10~(15) см~(-3) независимо от наличия варизонного слоя дифференциальное сопротивление области пространственного заряда в диапазоне температур 40-80 К ограничено процессами генерации Шокли - Рида. Высокотемпературный спад дифференциального сопротивления области пространственного заряда связан с диффузией неосновных носителей из квазинейтрального объема.