Иркутский госуниверситет, г. Иркутск, Россия

摘要

Разработана теоретическая модель критической электронной эмиссии диэлектриков, индуцированной ин-жекцией пучков электронов умеренной и высокой плотности и наносекунднои длительности. Построена численная реализация модели, которая описывает основные свойства эмиссии: возникновение явления при достижении определенного значения плотности инжектированного в образец заряда; задержку импульса эмиссии от импульса облучения до нескольких десятков наносекунд; коэффициент эмиссии, достигающий 1; пространственную неоднородность эмиссии.