Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5-1.55 мкм

摘要

Выполнено моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5-1.55 мкм. Представлена методика, позволяющая установить тепловое сопротивление и характеристические температуры, которые свойственны лазерному диоду. Определены скорости излучателъной и безызлучательной рекомбинации носителей. Проведено сравнение результатов расчетов и эксперимента, и показано их удовлетворительное совпадение.