首页> 外文期刊>Неорганические материалы >ВЫРАЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Ga_yIn_(1-y)P_zAs_(1-x-z)Bi_x НА ПОДЛОЖКАХ GаP
【24h】

ВЫРАЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Ga_yIn_(1-y)P_zAs_(1-x-z)Bi_x НА ПОДЛОЖКАХ GаP

机译:培养和性质的固体SOLUTIONS Ga_yIn_(1-Y)P_zAs_(1-X-Z)Bi_x ON SUBSTRATES的GaP

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Обсуждаются результаты выращивания твердых растворов GaInPAsBi на подложках GаP из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ ге-терофазных равновесий в системе Gа-In-Р-Аs-Bi. Исследованы кинетика роста, состав и структурное совершенство гетероструктур GаInРАsВi/GаР.
机译:讨论了从温度梯度场中的液相中的间隙的基板上生长增益的结果。 作为常规解决方案的一部分,分析了GA-IS-BI系统中的GE终端均衡分析。 研究了GainRSVI / GAR异质结构的生长动力学,组成和结构完善。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号