В результате численного моделирования воздействия наносекундного излучения рубинового лазера на ОГГе показано, что процесс испарения атомов кадмия существенно влияет на динамику фазовых переходов в приповерхностной области, приводит к охлаждению поверхности материала, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой в объеме полупроводника на расстоянии -20 нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. В результате испарения и диффузии компонентов теллурида кадмия в расплаве происходит обогащение приповерхностной области теллуром. Использование при моделировании зависимостей температуры кристаллизации и скрытой теплоты фазового перехода от концентрации компонентов в расплаве позволило получить удовлетворительное согласие с экспериментальными данными по зависимости времени существования расплава от плотности энергии.
展开▼
