ПРЕДЕЛЫ РАСТВОРИМОСТИ МАРГАНЦА В InSb ПРИ РАВНОВЕСНЫХ И НЕРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ СИНТЕЗА

摘要

Определено, что при синтезе InSb(Mn) методом закалки расплава выпадение второй фазы в образцах InSb наблюдается при более высоких концентрациях марганца, чем при выращивании методом Чохральского. Наблюдаемое концентрационное запаздывание выпадения второй фазы объяснено как сложным многоэтапным процессом образования сидячих дислокаций Ломера-Коттрелла, сопровождающим кристаллизацию полупроводниковых соединений А~ⅢВ~Ⅴ, так и диффузионными ограничениями поступления примеси к дислокациям, вызванными высокими скоростями закалки и наличием других дефектов кристаллической решетки.