КИНЕТИКА РОСТА И МИКРОСТРУКТУРА ПЛЕНОК PbTe, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ Si И BaF_2 МОДИФИЦИРОВАННЫМ МЕТОДОМ 'ГОРЯЧЕЙ СТЕНКИ'

摘要

Модифицированным методом "горячей стенки" с использованием графитовой реакционной камеры синтезированы пленки теллурида свинца на подложках Si (100) и BaF_2 (100). Методами рентгенографического анализа, локального рентгеноспектрального анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что независимо от природы подложки средняя скорость синтеза пленок РЬТе с составом в пределах области гомогенности растет с увеличением парциального давления паров свинца и уменьшается с увеличением парциального давления паров теллура. Показано, что скорость синтеза пленок РЬТе независимо от природы подложки максимальна на начальной стадии процесса и монотонно снижается со временем. Установлено, что независимо от продолжительности процесса синтеза средняя скорость роста пленок РЬТе на подложках Si (100) заметно выше, чем на подложках BaF_2 (100). Методом дифракции быстрых электронов на отражение показано, что текстура пленок PbTe на Si (100) соответствует ориентации подложки, а разориентация блоков не превышает 20°. На подложках BaF_2 (100) наблюдается эпитаксиальный рост пленок РЬТе с соотношением (100), [011]РЬТе Р(100),[011]BaF_2.