ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАВЛЕНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В РАЗРЯДЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА В ХЛОР-ВОДОРОД СОДЕРЖАЩИХ СМЕСЯХ ПРИ НИЗКОМ ДАВЛЕНИИ

摘要

Для формирования топологии на поверхности полупроводников часто применяется галогенсодержащая плазма, поэтому спектральный контроль процесса травления представляет собой актуальную методику в современной электронике. В работе изучены спектры излучения плазмообразующих газов смесей хлора/хлороводорода с аргоном, хлором и водородом в присутствии полупроводниковой пластины арсенида галлия. Выбраны линии и полосы для спектрального контроля скорости процесса травления по интенсивности излучения линий и полос продуктов травления. Показано, что связь между интенсивностью излучения продуктов травления GaAs и скоростью травления в плазме смесей хлороводорода с аргоном и хлором описывается прямо пропорциональной зависимостью, что указывает на возможность контроля процесса травления спектральным методом в реальном времени.