首页> 外文期刊>Физиκа плазмы >РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ИОНОВ, КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ГАЗОКИНЕТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ИОННОЙ КОМПОНЕНТЫ ПЛАЗМЫ ВДОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТОКОВОГО СЛОЯ
【24h】

РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ИОНОВ, КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ГАЗОКИНЕТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ИОННОЙ КОМПОНЕНТЫ ПЛАЗМЫ ВДОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТОКОВОГО СЛОЯ

机译:离子的温度分布,沿电流层表面的等离子体离子组分的浓度,电子浓度和气体系统压力

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Впервые исследовались распределения температуры ионов, концентрации электронов и газокинетического давления ионной компоненты плазмы вдоль ширины (большего поперечного размера) токового слоя, сформированного при разряде в аргоне или гелии в 2D и 3D магнитных конфигурациях. Показано, что температура ионов аргона распределена практически однородно по ширине токового слоя как в 2D-, так и в 3D-конфигурациях, и ускорение ионов аргона происходит под действием сил Ампера. Установлено, что температура ионов гелия и концентрация электронов распределены, напротив, существенно неравномерно, поэтому градиент газокинетического давления ионной компоненты плазмы вдоль ширины слоя в 2D магнитных конфигурациях вносит дополнительный вклад в ускорение ионов гелия, сравнимый с действием сил Ампера, а в 3 D-конфигурациях градиент давления направлен против сил Ампера и компенсирует их дсйствие.
机译:首次,离子的温度的分布,沿着在氩气中的放电期间形成的电流层的宽度(更大横向尺寸)的等离子体的离子组分的浓度和气体 - 系统压力的分布。研究了2D和3D磁性配置的氦气。结果表明,氩离子的温度几乎均匀地在2D和3D配置中均匀地均匀地均匀地均匀地均匀。并且在安培力的作用下发生氩离子的加速度。已经确定,氦离子的温度和电子的浓度分布,相反,显着不均匀地,因此沿2D磁性中的层的宽度沿着层的宽度梯度梯度沿着层的宽度梯度梯度配置对与AMPS力的作用相当的氦离子的加速度进行了额外的贡献,并且在3D配置中,压力梯度被引导抵靠安坝力并补偿其Dsissing。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号