金属回折格子によるSOIフォトダイオードの感度向上

摘要

SOI（silicon-on-insulator）技術による集積回路は，バルクシリコンのものと比較して動作速度，消費電力や集積度などの点で優れているが，SOI膜厚は200nm以下とする場合が一般的で光吸収層が薄いため，十分な感度を有する光検出器を作り込むことは困難であった．本報告ではその解決方法の一つとして，SOIフォトダイオード上にライン·アンド·スペース型の金属回折格子を配置する方法によって，特定の波長·偏光に対して感度をおよそ1桁向上できることを，実際に作製した金の回折格子付SOIフォトダイオードの測定結果に基づいて説明する．