ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFEのDC特性変動評価手法

摘要

装応力に起因するnMO SFのDC特性変動を，下リフト， 払散デバィスノミュレーションにより評価する手法を検討した。応力効果をデバィスソミュレーション上で取り扱っための電子移動度モデルを検討し，実験結果との比較からその妥当性を検訳した。この移動度モデルでは，応力によるSi伝導带エ不ルギ変化，および伝導帯エネルギ変化によって引き起こされる電子存在確率と散乱確率の変化を考慮した。このノミュレーション手法を用いて，QFP樹脂封止にともなうnM0SFITのDC特性変動を評価した。その結果，実験で得られたドレイン電流の変動，しきい値電圧の挙動および相互コンダクタンスの変動を再現することができた.