量子ホ一ルエッジ状態から量子ドットへのスピン依存電気伝導

摘要

半導体微細加工技術の進歩によってナノメートルスケールの半導体ナノ構造の作製が可能になり、新しい量子効果の実証や精密な制御が盛hに研究されている。ガリウム砒素(GaAs)などの半導体中の電子をド?ブロイ波長程度の空間に閉じ込めると、エネルギー準位は量子化し、また電子を一個ずっ出し入れできるようになる。このような半導体ナノ構造は量子ドットと呼ばれる。電子には電荷のほかにスピンの自由度があり、量子ドット中の電子スピンを利用した量子情報処理などへの応用が期待されている[1,2]。