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プラズマ·イオン注入技術

机译:等离子离子植入技术

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摘要

プラズマイオン注入プロセスはアメリカにて開発され,世界中に伝播した技術である1)。 開発の当初よりイオン注入による改質が目されてきたが,液近では注入のみではなく,堆積を伴う複合プロセスへと変わりつつある。基材を金属プラズマあるいはカーボンなどを含む固体プラズマ中に浸し,堆積と共に高電圧印加による注入法を併せ持つ技術として研究,開発されている。 一方,プロセスの特徴として,従来のイオンプロセスに比べ媒質のインピーダンスがきわめて低い領域でのプロセスである点があげられる。 プラズマイオン注入堆積法においては従来の堆積?イオン注入技術に付加して三次元の形状を持つ基材の表面処理が目的とされるため,プラズマ種の空間均一性が重視される。 さらに均一な注入に対しては過渡的なイオンシースの形成が担っており,パルス電圧の発生がハードウエアとしての重要な技術となっている。 言い換えれば三次元基材に対する均一なイオン注入や表面処理のためにイオンシース長の制御を行う技術が必須である。 このようにプラズマイオン注入堆積技術は潮しいプラズマ源の開発やパルス印加技術をはじめとしてこれらを合理的に運用する複合システム技術にいたっている。
机译:等离子体离子注入过程是在美国开发的,是全球传播的技术1)。虽然自初始开发以来已经通过了离子植入改革,但它不仅注射,而且还具有沉积的复杂过程。研究并开发基板作为其中基板浸入含有金属等离子体或碳等的固体等离子体中并与沉积相结合。另一方面,作为该方法的特征,可以说与常规离子过程相比,介质的阻抗非常低。在等离子体离子注入沉积方法中,将具有三维形状的基材的表面处理的目的应用于传统的沉积型离子注入技术,因此强调了等离子体物种的空间均匀性。此外,瞬态离子护套的形成是负责均匀的喷射,并且脉冲电压的产生是硬件的重要技术。换句话说,用于控制离子鞘长度的用于均匀的离子注入和相对于三维基材的表面处理是必需的。因此,等离子体离子植入沉积技术是一种合理操作这些的复合系统技术,包括潮汐等离子体源和脉冲应用技术的开发。

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