СТОХАСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ДВУМЕРНЫХ И ТРЁХМЕРНЫХ НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Ч. I. СТОХАСТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И АЛГОРИТМЫ

摘要

Представлены стохастические модели рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях, разработанные на основе двух подходов: дискретного (клеточный автомат) и непрерывного (метод Монте-Карло). Описана математическая модель рекомбинации электронов и дырок, построенная на базе системы неоднородных по пространству нелинейных интегродифференциальных уравнений типа Смолуховского. Изложены непрерывный алгоритм метода Монте-Карло и дискретный клеточно-автоматный алгоритм, использующиеся для моделирования рекомбинации частиц в полупроводнике.