ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－チョクラルスキー法によるサファイア結晶成長

摘要

白色LEDの高輝度化に伴い，基板材料であるサファイア結晶のニーズが高まっている．従来2インチであったサファイア基板の大口径化（4～6インチ）と高品質化が望まれている．筆者らは，市場ニーズに応えるべく，チョクラルスキー(Czokralski)法での結晶成長に取り組hでいる．結晶粒界，バブル発生，インクルージョンの課題は，結晶形状，育成方位，雰囲気ガス等の適正化を行うことで，高品質なサファイア結晶を得ることができる．