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熱電変換材料·素子最近の話題:魅力的なスクツテルタイト系熱電材料·素子

机译:热电转换材料和设备最近的主题:有吸引力的方块Tigut Auther热电材料和元件

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摘要

スクッテルダイトMX{sub}3系化合物(CoSb{sub}3,RhSb{sub}3,IrSb{sub}3),これに希土類元素を充填したRM{sub}4Sb{sub}12(R:La,Ce,Yb;M:Co,Fe)系化合物は,300°Cから600°Cの中温度域で高い性能をもつ熱電材料である·スクッテルダイトの語源は,ノルウェーのスクッテルド(skutterud)で産出される鉱物CoAs{sub}3からきている.1956年,MX{sub}3系化合物に代表されるCoSb{sub}3についての最初の報告がL.D.Dudkinらによってなされた.その後,1993年,ジェット推進研究所JPL)のT.CaillatらはCoSb{sub}3と周じ結晶構造をもつIrSb{sub}3,RhSb{sub}3の熱電気的特性ついて報告している.CoSb{sub}3,RhSb{sub}3,IrSb{sub}3は,特有のバンド構造とキャリアの輸送特性をもつp型半導体であり,正孔移動度が室温で0.2~0.8m{sup}2/Vsと大きい.
机译:Scuttel Date MX {Sub} 3的化合物(COSB {Sub} 3,RHSB {Sub} 3,IRSB {Sub} 3),RM {Sub} 4SB {Sub} 12(R:La)12(R:La) ,Ce,Yb; M:Co,Fe)化合物是热电材料,在300°C至600°C的温度范围内具有高性能,挪威的Skutturedite的单词源来自矿物Coas {sub}。 3制作。 1956年,由MX {Sub} 3化合物表示的COSB {亚} 3的第一个报告由L.D. Dudkin等人制作。 然后,在1993年,Jet促进实验室JPL)T. Caillat等人。用COSB {Sub} 3和晶体结构报告IRSB {Sub} 3,RHSB {Sub} 3的热电特性。。 COSB {SUB} 3,RHSB {SUB} 3,IRSB {SUB} 3是具有特定带结构和载波传输特性的P型半导体,并且在室温下,空穴迁移率为0.2至0.8M {SUP}。2 / vs很大。

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