原子テクノロジーの源流 第3章 超高真空中のエピタクシー現象－UHV時代の幕開け,微粒子の方位,構造,成長過程,Wulff多面体

摘要

しかし，残留ガスの影響が完全に取り除かれたわけではない．金属薄膜の成長速度は毎秒～0.5原子層（～1A／秒）であった（第2章参照）．残留ガスが壁に衝突する数は毎秒～5原子層程度（第2章参照）に相当するから，表面に衝突する残留ガスの方が1桁も多い．従って，多数のガスの環境の中で金属原子のみが凝集して成長すると言うような状況にあり，残留ガスの影響は大きいと推定される．それゆえ，エピタクシーの研究においては，10~(-10) Torr程度の超高真空（UHV：Ultra High Vacuum）中で実験を行う必要がある．この程度の真空であれば，1原子層のガスが吸着するまでの時間は～2×10~4秒（～5時間）となるので充分に清浄表面での実験が可能となるのである．