SiCハイブリッドペアによる低損失インバータ

摘要

炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスは現行のシリコン(Si)パワーデバイスと比較して，低損失，高速，及び高温動作という特長を備え，次世代のパワーデバイスとして期待されている。東芝は，独自に開発したSiC接合障壁型ショットキーバリアダイオード(SiC-JBS: SiC-Junction Barrier Controlled Schottky Diode)と，Si製の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Si-IGBT: Si-Insulated Gate Bipolar Transistor)を組み合わせたハイブリッドペア構成により，インバータの電力損失を30％以上低減できることを実証した。SiCハイブリッドペアにより，各種電源装置や電力変換装置の省エネルギー化と小型化が実現できる。