低消費電力CMOSデバイス用高誘電体グート絶縁膜HfSiON：シリコン集積化デバイスの可能性を広げる新しグート絶縁膜の実用化

摘要

高誘電体ゲート絶縁膜によるシリコン酸化膜(SiO{sub}2) の置き換えは，シリコン集積化デバイス発明以来の珍事です。 窒素添加ハフニウムシリケート(HfsSiON)は，製品化の可能性を持つ高誘電体材料です。 ハフニウムシリケート(HfSiO)への窒素（N）添加により，1,000°C以上のLSI製造工程を経ても安定な膜構造が実現されます。 HfSiONゲート絶縁膜により，従来のSiO{sub}2に対し3けたも低いゲート漏れ電流が実現されました（図1）。 HfSiONによる世界初の高誘電体ゲート絶縁膜搭載デバイスを実用化することが東芝の目標です。