希土類イオン添加したKCI焼結体の輝尽蛍光および熱蛍光特性

摘要

放射線照射によって半導体や絶縁体中に生じた電子正孔対の一部は，移動過程で欠陥や不純物イオンなどに捕獲され，一時的に蓄積されることがある（図1上段）．その後，光や熱などの刺激によって捕獲状態が解かれるに伴い，輝尽蛍光（OSL）や熱蛍光汀SI．）が生ずる（図1下段）4）．これらは蓄光性蛍光とよばれる特殊な蛍光現象であり，線量計測に利用されている.