高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaN HEMTドハティ増幅器

摘要

次世代通信システムの実現に向けて，電力増幅器は更なる高効率．高機能化が求められている．通信システムの高度化に伴い，基地局等の送信機で処理されるデジタル変調信号は従来よリも高いピーク対平均電力比（PAPR ）を有する．これに対し，電力増幅器は広いダイナミックレンジで高効率増幅が求められる．ドハティ増幅器（DA）はこの問題に対する有効な解決策である．我々は，これまでにλ/4インピーダンス変換器を用いないDAの提案を行ってきた．今回はDAで用いられるメインアンプと補助アンプの整合回路に高調波処理を加え，λ/4インピーダンス変換器を用いないDAの高効率化を図った．試作DAは，4.7 GHzで40 dBmの飽和出力電力に対し67%の最大ドレイン効率と60%の付加電力効率となり，7-dBバックオフ条件では66%のドレイン効率と60%の付加電力効率となり，良好なバックオフ性能が得られた．