ゲート長0.15μm GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力／60%PAEのX帯GaN電力増幅器

摘要

短ゲート長（Lg＝0.15μm）GaN HEMTを用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器では、X帯GaN電力増幅器の更なる高効率化を実現するため、短ゲート長（Lg＝0.15μm）GaN HEMTを用い、入力側·出力側の両方に2次高調波処理回路を装荷した構成を適用した。試作·評価の結果、X帯の比帯域8%の周波数範囲において、出力電力Pout＝44.5～45.0dBm（28～31.5W）、動作利得Gain＝11dB以上、電力付加効率PAE＝57～60%の性能を達成した。