λ／4インバータを用いない小型·広帯域並列負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器

摘要

マイクロ波ドハティ増幅器は，従来，キャリア増幅器（CA）とピーク増幅器（PA），及びλ／4インピーダンス変換回路により構成されている．最近，我々は，λ／4インピーダンス変換回路を用いないドハティ増幅器を提案し［2］［3］，広帯域直列接続負荷形ドハティ増幅器により小型·広帯域化を実現している［4］［5］．本報告では，AlGaN／GaN HEMTを用いた1.9GHz帯並列接続負荷型ドハティ増幅器を二RFレベル回路設計及び製作し，更なる小型化の実現と310MHz帯で最大出力30dBm以上電力付加効率50％以上，最大効率から6dB入力バックオフレベルにおいて，230MHz帯で50％以上，320MHz帯で40％以上の広帯域特性を達成した．