イオン衝撃による絶縁体からの二次電子放出特性の経時変化

摘要

保護層材料を改良することはカラーaC-PDPの発光効率を向上させる有効な方法である。イオン衝撃にょる二次電子放出比（γ{sub}i）の測定は保護層材料を評価する上で不可欠である。本研究ではγ{sub}i測定を自動化することで精度·再現性を向上させた。 信頼性の高くなった装置に用いて、焼結法によって作成した蒸着源を用いた真空蒸着膜のγ{sub}iを測定した。 この結果γ{sub}iがイオン照射時間によって大きく変化することを確認した。 また、MgO焼結体による真空蒸着膜はMgO結晶を蒸着源に用いたものと同等以上のγ{sub}iを持つことを明らかにした。