Разработка технологии финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии

В. В. Попов

首页> 外文期刊>Электромагнитные волны и электронные системы >Разработка технологии финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии

【24h】

Разработка технологии финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии

机译：开发碳化硅基板基板的整理表面制备技术的发展

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлена технрлогия химико-механического полирования подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6H-SiC диаметром 3 дюйма, обеспечивающая шероховатость поверхности менее 2 А. Описаны процессы финишной отмывки и упаковки подложек.

机译：半绝缘碳化物衬底的化学机械抛光技术的技术理学抛光为3英寸，提供小于2A的表面粗糙度。描述了衬底的整理洗涤和包装的过程。

著录项

来源
《Электромагнитные волны и электронные системы》 |2014年第4期|共3页
作者
В. В. Попов;
展开▼
作者单位

ОАО "Светлана";

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类无线电物理学;
关键词
подложки полуизолирующего карбид кремния; финишная подготовка поверхности; химико-механическая полировка (ХМП); шероховатость поверхности;

机译：半绝缘碳化硅基板;饰面表面制备;化学机械抛光（HMP）;表面粗糙度;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy [J] . Ishikawa Yukari, Sugawara Yoshihiro, Sato Koji, Japanese journal of applied physics . 2020,第10期

机译：通过共聚焦差异干扰对比度显微镜观察到ePI就绪GaN晶片表面的细结构的识别
2. Investigation of hillocks formation on (100) HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs epi-ready substrates [J] . Keblowski A., Kopytko M., Mlynarczyk K., Infrared physics and technology . 2017,第期

机译：MoCVD在GaAs Epi-ready底板上生长的Hillocks形成的研究
3. Atomic force microscopy of partially polished and epi-ready c-plane GaN substrates obtained by an ammonothermal method [J] . Jaroslaw Serafinczuk, Grzegorz Jozwiak, Piotr Paletko, _Applied Physics Express . 2014,第5期

机译：通过氨热法获得的部分抛光且外延就绪的c面GaN衬底的原子力显微镜
4. 4H-SiC Epi-Ready Substrate Qualification by Using Mirror Electron Microscope Inspection System [C] . M. Hasegawa, K. Ohira, N. Kaneoka, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2020

机译：使用镜子电子显微镜检测系统4H-SIC EPI-ready基板鉴定
5. Development of epi-ready bromine ion-beam-assisted etched gallium antimonide substrates for gallium antimonide molecular beam epitaxy. [D] . Vangala, Shivashankar R. 2005

机译：用于溴化镓分子束外延的表观准备就绪的溴离子束辅助刻蚀的锑化镓镓衬底的开发。
6. Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers [O] . Gabás M., Palanco S., Bijani S., 2012

机译：准磊晶锗晶片的表面状态分析

Разработка технологии финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅