Проведено численное моделирование нестационарного пространственного температурного поля мощного биполярного транзистора с учетом зависимости токов, протекающих в каждом интегральном транзисторе, от собственных средних температур. Исследована тепловая устойчивость кристалла в зависимости от сопротивления балластных резисторов и электрических режимов работы; выделены режимы тепловой неустойчивости.
展开▼
