光音響·発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射·非輻射再結合寿命の測定

摘要

半導体の輻射·非輻射再結合寿命は、発光（PL）寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率（IQE）を100%と仮定することによって、見積もられることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体において、この仮定は必ずしも正しくない。そこで本研究では、光音響·発光同時計測から求めた正しいIQEを基にPL寿命を解析し、正しい再結合寿命を見積もった。その結果、輻射再結合寿命は温度の1.5乗に比例して増加するのに対し、非輻射再結合寿命はほぼ変化せず、その絶対値は測定試料の品質に依存することがわかった。