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消耗部材劣化の影響を予測する半導体CMPプロセス制御

机译:半导体CMP过程控制,用于预测消耗成员劣化的效果

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摘要

製造装置関連データには,温度や圧力などのセンサ計測値の他に,劣化を表わす指標として装置内部でカウントされている消耗部材の保守交換後からの使用時間がある.本稿では,消耗部材であるドレッサとパッドの劣化の影響を同時に受けるCMP工程の研磨レートを,これら消耗部材使用時間から連続的に予測するモデルを構築し,研磨量を制御する手法を提案する.提案手法は,予測モデルの形態にマルチレベルモデルを採用し,2種類の消耗部材劣化の干渉に起因する個体間モデルを組み込む.消耗部材の個体数だけ未知パラメータの数が増大するため,従来の最小二乗法(Least Squares Method)による解法は困難になる.そこで,未知パラメータを条件とした予測誤差の確率分布に関して階層ベイズモデルを構築し,MCMC(Markov chain Monte Carlo)法により事後分布からのサンプリングシミュレーションを行ない,その点推定値から個体差パラメータを同定する手法とした.提案手法は,階層ベイズモデルを組み替えることにより,研磨レート変動の説明に必要十分な個体差パラメータを探索するステップから,実際の製造ラインの運用を考慮した予測モデルを構築するステップまで,同じ手法を適用可能とした.製造ラインからの実データに基づくシミュレーションによって,研磨量制御の精度を評価し,提案手法の有効性を検証した.
机译:制造装置相关数据,除了传感器测量值,如温度和压力之外,在维护和更换在设备内计数的消耗成员之后使用时间使用时间,作为表示劣化的索引。在本文中,通过梳妆台的劣化和垫影响的CMP过程的抛光速率是同时构建预测这些可消耗成员的模型的消耗构件,提出了一种控制抛光量的方法。该方法采用了一种以预测模型的形式采用多级模型,其由于两种类型的消耗成员的干扰而劣化而包含各种模型。因为仅群体的数量仅为未知的消耗成员的参数,所以根据(最小二乘法)解决方案的传统最小二乘法是困难的。因此,为了构建相对于预测误差的概率分布的分层贝叶斯模型作为未知参数的条件,通过MCMC(马尔可夫链蒙特卡罗)方法的后部分布执行采样模拟,从而识别来自的各个差异参数估计值的值是该技术。所提出的方法,通过重新排列分层贝叶亚斯模型,研究抛光速率描述所需的足够单独的差参数的步骤,考虑到实际生产线的操作构建预测模型的步骤,相同的过程它可以应用。通过基于生产线的实际数据的仿真来评估抛光量控制的准确性,验证所提出的方法的有效性。

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