高出力Ku帯衛星通信用GaN HEMT MMICと内部整合GaN HEMTのラインアップ拡充

摘要

MGFG5H1503とMGFK47G3745Aを連結した2段アンプで，IM3が-25dBcを満足する線形出力が45dBmと，MGFK47G3745A単体の線形出力と同等性能を実現し，GaNによる多段アンプ構成が可能となった。送信機アンプの構成を従来のGaAs（ガリウムヒ素）FET （Field Effect Transistor）から，これらのKu帯GaN HEMTラインアップに置き換えることで，最終段合成数低減，段数低減，ドライバ段と最終段の電源電圧共通化によるアンプの高出力·小型化に貢献する。