ナノ狭窄型喝気抵抗効果に関する最近の研究

摘要

面内通電型（Current－In－Plane：CIP）巨大磁気抵抗効果における電子のスペキュラ反射層として，佐橋·上ロにより提案された極薄の酸化層であるナノオキサイドレーヤ（Nano－Oxide－Layer：NOL）の研究はその後垂直通電型（Current－Perpendicular-to－Plane：CPP）の巨大磁気抵抗効果における電子（スピン）流のナノ狭窄層としての検討が行われ，現在では電流狭窄型（Current－Confined－Path：CCP）の巨大磁気抵抗効果（Giant Magne to－Resistance：GMR）やナノ狭窄磁壁型磁気抵抗効果（Nano－Contact Magneto－Resistance：NCMR，Domain Wall Magneto－Resistance：DWMR）の研究へと発展を見せている．また，電流狭窄効果は磁気抵抗比（MR比）の増大をもたらすのみならず，CIMS（Currentp Induced－Magnetization-Switching）の低電流密度化5）やSTT（Spin Transfer Torque）マイクロ波発振6）などのスピンダイナミクスへの応用の観点からも興味がもたれる．