Wyznaczanie natezen wiazek elektronowych dla dyfrakcji typu RHEED w ramach zaawansowanych i uproszczonych opisow teoretycznych

摘要

W artykule omowione sa rozne sposoby przeprowadzania obliczen dla techniki odbiciowej wysokoenergetycznej dyfrakcji elektronowej, nazywanej zwykle technika RHEED. Technika ta w chwili obecnej czesto znajduje zastosowanie m.in. do monitorowania wzrostu cienkich warstw przy uzyciu metody PLD, czyli osadzania z wykorzystaniem lasera impulsowego. Artykul poswiecony jest roznym aspektom teoretycznym opisu dyfrakcji typu RHEED. W przypadku, gdy siec krystaliczna badanego materialu jest niemal idealna, natezenia wiazek elektronow odbitych od powierzchni powinny byc wyznaczane przy uzyciu dynamicznej teoria dyfrakcji, czyli z pomoca rownan rozniczkowych czastkowych wlasciwych dla ruchu falowego. W przypadku osadzania cienkich warstw, ulozenie atomow jest jednak zwykle dalekie od idealnego i dlatego stosowanie teorii uproszczonych moze byc pomocne. W ogolnosci problem przeprowadzania symulacji komputerowych dla dyfrakcji elektronow, dla czesciowo uporzadkowanych struktur wciaz jest otwarty.