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机译:用改进的内部镁镁扩散过程制造的Bazro3纳米粉末掺杂MGB2电线的性质
Slovak Acad Sci Inst Elect Engn Dubravska Cesta 9 Bratislava 84104 Slovakia;
Slovak Acad Sci Inst Elect Engn Dubravska Cesta 9 Bratislava 84104 Slovakia;
Slovak Acad Sci Inst Elect Engn Dubravska Cesta 9 Bratislava 84104 Slovakia;
Vienna Univ Technol Inst Solid State Phys Karlspl 13 A-1040 Vienna Austria;
Slovak Acad Sci Inst Elect Engn Dubravska Cesta 9 Bratislava 84104 Slovakia;
MgB2; MIMD process; BaZrO3 doping; critical current density;
机译:用改进的内部镁镁扩散过程制造的Bazro3纳米粉末掺杂MGB2电线的性质
机译:不同硼粉制备的纳米碳掺杂内部Mg扩散处理的MgB2线的微观结构和超导性能
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机译:内部MG扩散过程的MGB_2电线结构与性能研究
机译:化学掺杂对MgB2导线和散装样品的微观结构和超导性能的影响。
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机译:用于mgB2超导体的等离子体合成掺杂硼纳米粉末。第二阶段sBIR最终科学/技术报告。