Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von

摘要

Die vorliegende Arbeit beschaftigt sich mit dem Verhalten von Halbleitern aus Siliziumkarbid (SiC) Zunachst werden die Auswirkungen par. Elemente betrachtet. Es wird u.a. der planare M-Shunt untersucht. Die Charakterisierung der Halbleiter wird mit stat. und dyn. Messmethoden durchgefuhrt. Der Sperrbetrieb der Dioden wird im Hinblick auf therm. Stabilitat untersucht und bei der dyn. Charakterisierung werden die Uberspannung sowie die Ladung bestimmt. Bei den stat Messungen der Transistoren wird das Verhalten hinsichtlich verschiedener Transistortypen sowie herstellerbedingter Unterschiede aufgezeigt. Die dyn. Vermessung der Transistoren umfasst eine Analyse des Finflusses der Ansteuerparameter, der Gehause, der Sperrschichttemperatur und unterschiedlicher Dioden auf das Schaltverhalten. Des Weiteren werden die Zerstorungsgrenzen von SiC-MOSFETs und die Anwendbarkeit von Uberspannungsschutzbeschaltungen aut SiC-MOSFETs analysiert.