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机译:一种具有平行氧化物 - 金属层的新型SOI-MESFET,用于高压和射频应用
Department of Electronic College of Electrical Engineering Kermanshah Branch Islamic Azad University;
Electrical and Computer Engineering Department Kermanshah University of Technology;
SOI-MESFET; POML structure; Breakdown voltage; Gate-drain capacitance; Radio frequency;
机译:一种具有平行氧化物 - 金属层的新型SOI-MESFET,用于高压和射频应用
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