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机译:R-Matrix处理高能电子冲击激励过程:NA 3S-3P和2P-3S过渡的广义振荡器强度
[Han XY;
Li YM;
Zhang H;
Yan J] Inst Appl Phys &
Computat Math Key Lab Computat Phys Beijing 100088 Peoples R China;
[Yan J] Peking Univ Ctr Appl Phys &
Technol Beijing 100871 Peoples R China;
[Li JM] Shanghai Jiao Tong Univ Shanghai Key Lab Laser Fabricat &
Mat Sci Dept Phys Shanghai 200030 Peoples R China;
DIELECTRONIC RECOMBINATION PROCESSES; DIFFERENTIAL CROSS-SECTIONS; CONFIGURATION-INTERACTION; INELASTIC-SCATTERING; OPACITY CALCULATIONS; EXCITED STATES; ATOMIC DATA; SODIUM; HELIUM; PHOTOIONIZATION;
机译:高能电子撞击激发过程的R矩阵处理:Na 3s-3p和2p-3s跃迁的广义振荡器强度
机译:R-Matrix处理高能电子冲击激励过程:NA 3S-3P和2P-3S过渡的广义振荡器强度
机译:R-Matrix处理高能电子冲击激励过程:NA 3S-3P和2P-3S过渡的广义振荡器强度
机译:r-matrix计算的电气冲击激发蜜蜂电序列
机译:高动量传递时的内壳电子能量损失谱和广义振荡器强度。
机译:无辐射跃迁的平稳状态方法:辐射带宽对多原子分子激发过程的影响
机译:Na 3s-3p跃迁的广义振荡器强度
机译:Ti IX中Ti离子,3s-3p和3p-3D跃迁的能级和振荡强度的原子结构计算