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【24h】

予めめ1273K,400MPaにで最大5%ひずみでクリ一プ中断した単結晶N基超合金,CMSX-4,の単純時効に伴うγ/γ'相界面の転位下部組織変化

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摘要

いずれのクリープ中断材においても,γ,相は立方体状を保っている.単純時効時間の増加に伴い,γ相はクリープ試験時の応力軸に対して垂直方向に連結し,ラフト構造を形成する。 その完成度は高ひずみ材ほど高い.クリ-プ中断材のγ/γ'相界面の転位密度は,ひずみの増加に伴い増加する.しかし,いずれのクリープ中断材においても界面転位密度は時効時間の増加によらずほぼ一定値を示す(Fig.1).いずれのクリープ中断材においてもγ/γ,相界面の転位はすべてく110>系のバーガースベクトルを有し,6種類のバーガースペクトルを有する転位の割合ははば均等であり,単純時効後もその割合は変化しない.以上の結果より,界面転位は変形に寄与した可動転位の軌跡であり,ラフト化とγ/γ'相界面における転位の再配列は密接に関連することが明らかとなった.
机译:在任何蠕变的中断,γ,阶段维持立方体。随着简单的老化时间增加,γ相在蠕变试验时垂直于应力轴线连接以形成筏结构。完成程度高度高菌株。随着应变的增加,嵴绝缘的γ/γ'相界面的位错密度增加。然而,在任何蠕变的中断中,界面位错密度表示几乎恒定的值,而不管老化时间的增加如何(图1)。在任何爬行材料中,γ/γ和相位界面的脱位是所有110个>汉堡矢量,并且六个巴格光谱的脱位比例均匀等同,即使在简单老化之后,比例不变。根据上述结果,近似界面位错是可移动脱位的轨迹,这些脱位是有助于变形的,并且漂流中重排和γ/γ'相界面的重新排列密切相关。

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