方向性電磁鋼板におけるGoss方位粒の選択成長に及ぼす粒界方位差角の影響

摘要

Goss方位粒の選択機構については多くの説が提案されており、その中で著者らはGoss方位粒の選択成長には、粒界方位差角が20～45°程度の高エネルギ一粒界が寄与し、その高エネルギー粒界は高易勤度であるというモデルを提案している。 本報告でも、粒界方位差角に着目して、二次再結晶粒とマトリックスの関係について調査した。高磁束密度方向性電磁鋼板の脱炭焼鈍板を、昇温速度10°C／Hrで1200°Cまで昇温する二次再結晶焼鈍過程において、975°Cに到達した時点で焼鈍を終了し、二次再結晶進行過程をEBS炉を用いて調査した。