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フラウンホーファー表面工学·薄膜研究所(IST) (2)--'ガスフロースパッタリング'

机译:Fraunhofer表面工程,薄膜实验室(IST)(2) - “气体流量浇注”

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摘要

今回は、前号まで連載してきたINMをいったh離れ、2002年4月号で紹介したフラウンホープァー表面工学·薄膜研究所(IST)の第2弾として、高速/低ダメージ/低設備コスト成膜法として有機EL用保護膜形成などに有望視されているガスフロースパッタリング(GFS)を紹介する。 INMの技術は、次号で今話題のフラウンホープアー電子ビーム·プラズマ研究所(FEP)の"パルスバッケージ"を紹介後、再開する予定である。 薄膜材料の中でAl_2O_3、TiO_2、ITOなどに代表される透明酸化膜は重要な役割を果たしており、さまざまな用途、特に光学的な分野で広く使われている。これらの薄膜の作成には、多くの場合、真空蒸着法か、マグネトロンスパッタ法が円いられる。しかしながら、真空蒸着法は膜密度や膜厚均一性が不十分という問題が生じることが多々あり、一方、マグネトロンスパッタ法の不利な点は成膜速度やターゲット利用率に制約があることや、時には、反応モードにおいてターゲットの酸化に起因するプラズマの不安定性が生じることなどであった。
机译:这一次,H离开inm已经序列化的前页,第2版的流量孔表面工程和薄膜实验室(IST)在2002年4月推出,高速/低损坏/低设备A.介绍了用于有机EL的保护膜形成作为成本膜形成方法的气体流动修补(GFS)。 inm的技术计划在现在使用下一个问题介绍该主题的流量舱电子束等离子研究所(FEP)的“脉冲背面”之后恢复。在薄膜材料中,由Al_2O_3,TiO_2,ITO等表示的透明氧化物在各种应用中广泛使用的重要作用,特别是光学领域。在许多情况下,这些薄膜的产生通常是真空蒸发方法或磁控溅射方法。然而,存在许多情况下的真空蒸发方法具有薄膜密度和膜厚度均匀性不足的问题,而磁控溅射方法的缺点仅限于沉积速率和目标利用率,有时在反应中模式,引起了靶氧化引起的等离子体不稳定性。

著录项

  • 来源
    《工業材料》 |2003年第1期|共6页
  • 作者

    鈴木 巧一;

  • 作者单位

    ㈱サーフテックトランスナショナル;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

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