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机译:从局部校正的交换相关电位的宽间隙半导体的更好的带空隙几乎消除了自交互错误
Iowa State Univ Ames Lab US DOE Ames IA 50011 USA;
Indian Inst Technol Dept Phys Kanpur 208016 Uttar Pradesh India;
Iowa State Univ Ames Lab US DOE Ames IA 50011 USA;
wide-band semiconductors; Van-Leeuwen Barends correction; self-interaction correction;
机译:从局部校正的交换相关电位的宽间隙半导体的更好的带空隙几乎消除了自交互错误
机译:消除概念DFT中电信级均衡和校正自交互误差的对称性问题
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:具有内置不连续性和正确长距离行为的交换相关潜力
机译:宽间隙检测器级半导体的光学特性。
机译:浓度对锑静压压力下单层半导体带间隙可调性的基准调查
机译:从局部校正的交换相关电位的宽间隙半导体的更好的带空隙几乎消除了自交互错误