机译:用于存储类内存的3D交叉点相位更改内存
IBM Macronix PCRAM Joint Project Yorktown Hts NY 10598 USA;
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IBM Macronix PCRAM Joint Project Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM Macronix PCRAM Joint Project Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM Macronix PCRAM Joint Project Yorktown Hts NY 10598 USA;
phase-change memory; access device; storage-class memory; Ovonic threshold switching; 3D cross-point phase-change memory; OTS chalcogenides;
机译:用于存储类内存的3D交叉点相位更改内存
机译:交叉点相变内存中热干扰电热模型
机译:3D交叉点自旋转移力矩磁性随机存取存储器
机译:3D和:3D可堆叠的闪存架构,实现高密度和快速读取的3D和闪存和存储级存储器
机译:可靠,安全的相变存储器作为主存储器。
机译:Al2O3膜的尺寸和厚度对Cu柱的影响以及3D交叉点存储应用的电阻开关特性
机译:双存储端口非挥发性SRAM基于后端 - 线路处理的HF0.5ZR0.5O2铁电电容朝向3D选择器的交叉点存储器
机译:通过旋涡核心交叉点架构中的旋转场进行存储器位选择和记录。