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机译:使用拓扑绝缘体Bi2te3-Si制造P-N异质结及其退火响应
IIIT Allahabad Dept Appl Sci Spintron &
Magnet Mat Lab Allahabad 211012 Uttar Pradesh India;
IIIT Allahabad Dept Appl Sci Spintron &
Magnet Mat Lab Allahabad 211012 Uttar Pradesh India;
IIIT Allahabad Dept Elect &
Commun Engn Allahabad 211012 Uttar Pradesh India;
Motilal Nehru Natl Inst Technol Dept Phys Allahabad 211004 Uttar Pradesh India;
CSIR Natl Phys Lab New Delhi 110012 India;
IIIT Allahabad Dept Appl Sci Spintron &
Magnet Mat Lab Allahabad 211012 Uttar Pradesh India;
Bi2Te3/Si; topological insulators; heterostructure; p-n diode characteristics; annealed film;
机译:使用拓扑绝缘体Bi2te3-Si制造P-N异质结及其退火响应
机译:在退火的Bi2.4se0.6中的量子尺寸方案中的异质结的旋转分辨带结构Bi-Bilayer / 3D拓扑绝缘体
机译:三维拓扑绝缘体Bi2te3 /有机薄膜异质结光电探测器,快速和宽带响应从450到3500纳米
机译:采用超稀溶液通过蒸发喷雾沉积法制造具有受控p-n成分分布的块状异质结光伏电池
机译:混合杂交功能中的静电场:场效应晶体管,拓扑绝缘体和热电应用
机译:退火Bi2Te2.4Se0.6量子尺寸范围内异质结双层/ 3D拓扑绝缘子的自旋分辨带结构
机译:Bi2se3 / BioCl的P-N异质结的Bi2Se3的拓扑绝缘体的电导率改进