机译:缺陷在基于Ta2O5-TiO2的金属 - 绝缘子 - 金属(MIM)器件的电阻切换行为中的作用,用于存储器应用
Univ Valladolid Dept Elect Campus Miguel Delibes E-47011 Valladolid Spain;
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Univ Tartu Inst Phys W Ostwaldi 1 EE-50411 Tartu Estonia;
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Resistive switching; tantalum oxide; titanium oxide; defects; metal-insulator-metal; high-k dielectric stacks;
机译:缺陷在基于Ta2O5-TiO2的金属 - 绝缘子 - 金属(MIM)器件的电阻切换行为中的作用,用于存储器应用
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