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机译:电导率和热电力与高迁移率Zn掺杂Bi2te3拓扑绝缘体之间的电导率和热电动力的反相关性引起的功率因数增强
Banaras Hindu Univ Indian Inst Technol Dept Phys Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
Chinese Acad Sci Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys Beijing 100190 Peoples R China;
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Chinese Acad Sci Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys Beijing 100190 Peoples R China;
Banaras Hindu Univ Indian Inst Technol Dept Phys Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
Topological insulator; Magneto-transport properties; Thermoelectric power factor;
机译:电导率和热电力与高迁移率Zn掺杂Bi2te3拓扑绝缘体之间的电导率和热电动力的反相关性引起的功率因数增强
机译:通过磁掺杂增强超薄拓扑绝缘子中的热电功率
机译:通过晶界诱导的迁移率增强Pr掺杂SrTiO_(3-δ)陶瓷中的大热电功率因数
机译:铋(III)碲化铋(Bi2te3)基于PVA的基于拓扑绝缘体,作为铒掺杂光纤激光器中的被动饱和吸收剂
机译:硅锗的热电性能:对晶格导热系数降低的调查和功率因数增强
机译:Bi2Te3拓扑绝缘体表面态的非常规超导性
机译:通过磁掺杂增强超薄拓扑绝缘子中的热电功率