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机译:短脉冲200keV C +离子束和连续350keV He2 +离子束照射对具有各种Si含量的Al-Si-n涂层光学性质的影响
Natl Res Tomsk Polytech Univ Lenina Ave 30 Tomsk 634050 Russia;
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Natl Res Tomsk State Univ Siberian Phys Tech Inst Novosobornaya Sq 1 Tomsk 634050 Russia;
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Ion beam; Al-Si-N coatings; Radiation defects; Absorption;
机译:短脉冲200keV C +离子束和连续350keV He2 +离子束照射对具有各种Si含量的Al-Si-n涂层光学性质的影响
机译:TI_3SIC_2电子束能量水平的辐照损坏120 kev和200 kev
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机译:通过10keV电子束照射改变二维场效应晶体管中的触点和通道特性
机译:一组独特的过渡矩阵元素,用于在E(beam)= keV的氘(矢量氘,光子)4-氦反应。
机译:使用200keV的光束图像换档的高分辨率cryo-em
机译:确定通过低能量(50keV,70keV或90keV)或高能量(200keV)注入的氧气形成的设备质量薄膜和标准Simox结构的最佳剂量