机译:退化半导体中异常大的化学潜力转变:SNSE和Na-掺杂的SNSE的角度解析的光电研究
Waseda Univ Dept Appl Phys Shinjuku Ku Tokyo 1698555 Japan;
Waseda Univ Dept Appl Phys Shinjuku Ku Tokyo 1698555 Japan;
Waseda Univ Dept Appl Phys Shinjuku Ku Tokyo 1698555 Japan;
Univ Roma La Sapienza Dept Phys I-00185 Rome Italy;
Hiroshima Univ Hiroshima Synchrotron Radiat Ctr Higashihiroshima Hiroshima 7390046 Japan;
Hiroshima Univ Hiroshima Synchrotron Radiat Ctr Higashihiroshima Hiroshima 7390046 Japan;
Hiroshima Univ Hiroshima Synchrotron Radiat Ctr Higashihiroshima Hiroshima 7390046 Japan;
Northwestern Univ Dept Chem Evanston IL 60208 USA;
Northwestern Univ Dept Chem Evanston IL 60208 USA;
Northwestern Univ Dept Chem Evanston IL 60208 USA;
机译:退化的半导体中异常大的化学势移:SnSe和Na掺杂SnSe的角度分辨光发射研究
机译:ZT因子在Ag-和Na-掺杂的SNSE:化学潜力,放松时间和对其他掺杂剂物种的预测
机译:角度分辨光发射光谱法揭示SnSe中意外的大孔有效质量
机译:SNSE和SNS半导体薄膜的晶体结构,光学和电性能通过真空蒸发技术进行太阳能电池应用
机译:稀磁半导体,GA1-X MNXP和未掺杂的间隙研究,具有硬X射线照片和角度分辨的光曝光
机译:化学气相沉积法制备超薄SnSe2纳米薄片及其表面增强拉曼散射
机译:退化半导体中异常大的化学潜力转变:SNSE和Na-掺杂的SNSE的角度解析的光电研究