机译:基于第一原理声子计算的GaN(0001)表面的自由能的演变
Polish Acad Sci Inst High Pressure Phys Sokolowska 29-37 PL-01142 Warsaw Poland;
Kyushu Univ Res Inst Appl Mech Fukuoka Fukuoka 8168580 Japan;
机译:基于第一性原理声子计算的GaN(0001)表面自由能的演变
机译:氧在GaN(0001)和GaN(0001)表面上的吸附和结合:第一性原理密度泛函计算
机译:锆(0001)平板定位模式下表面垂直方向上纵向声子的第一性原理计算
机译:在应变AlN(0001)和GaN(0001)表面上的结合能和原子扩散的密度泛函计算
机译:使用第一原理计算和Boltzmann传输方程预测二维材料中的声子传输
机译:基于最陡熵上升量子热力学模拟氨在GaN(0001)重构表面上化学吸附的非平衡过程
机译:锆(0001)板表面正常方向上的纵向声子的第一原理计算:地下局部化模式