机译:拓扑谷,假旋翼和伪旋流 - 谷保护边缘状态在对称柱形晶体中
UPMC Univ Paris 06 Sorbonne Univ INSP UMR CNRS 7588 4 Pl Jussieu F-75005 Paris France;
UPMC Univ Paris 06 Sorbonne Univ INSP UMR CNRS 7588 4 Pl Jussieu F-75005 Paris France;
Univ Lille Sci &
Technol Inst Elect Microelect &
Nanotechnol IEMN UMR CNRS 8520 F-59652 Villeneuve Dascq France;
Univ Lille Sci &
Technol Inst Elect Microelect &
Nanotechnol IEMN UMR CNRS 8520 F-59652 Villeneuve Dascq France;
机译:拓扑谷,假旋翼和伪旋流 - 谷保护边缘状态在对称柱形晶体中
机译:具有伪自旋谷耦合鞍面态的三维拓扑声晶体
机译:基于Pseudospin-Valley耦合的边缘和角柱的弹性张素拓扑板
机译:具有完整声子带隙的基于GaAs的纳米声子晶体中的多带谷保护拓扑边缘态
机译:柔性声子晶体和连续体拓扑绝缘子的设计
机译:具有伪自旋谷耦合鞍面态的三维拓扑声晶体
机译:在Pseudospin-Hall呼吸晶体中拓扑保护的零折射弹性波