机译:在X射线照射下A-IGZO薄膜晶体管中的负阈值电压移位
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn 222 Wangsimni Ro Seoul South Korea;
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Engn 222 Wangsimni Ro Seoul South Korea;
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LG Display Co Ltd Ctr Res &
Dev 30 Magokjungang 10 Ro Seoul South Korea;
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机译:在X射线照射下A-IGZO薄膜晶体管中的负阈值电压移位
机译:在非晶Ingazno薄膜晶体管中负偏压期间H_2O期间H_2O的效果异常阈值电压
机译:负偏置温度应力下P沟道低温多晶硅薄膜晶体管的阈值电压异常漂移
机译:负偏置正偏压和Al
机译:通过准分子激光辐照用于薄膜晶体管的晶体硅薄膜。
机译:有机物中嵌入的氧化铜的机理分析阈值电压可控的薄膜晶体管
机译:在X射线照射下A-IGZO薄膜晶体管中的负阈值电压移位