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机译:从采样莫尔阶段的GaN原子结构缺陷分布的可视化和自动检测
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol Res Inst Measurement &
Analyt Instrumentat 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol Res Inst Measurement &
Analyt Instrumentat 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
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Technol Res Inst Measurement &
Analyt Instrumentat 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Toshiba Elect Devices &
Storage Corp Discrete Semicond Div Adv Discrete Dev Ctr 1-1 Iwauchi Machi Nomi Ishikawa 9231293 Japan;
Toshiba Elect Devices &
Storage Corp Discrete Semicond Div Adv Discrete Dev Ctr 1-1 Iwauchi Machi Nomi Ishikawa 9231293 Japan;
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Storage Corp Discrete Semicond Div Adv Discrete Dev Ctr 1-1 Iwauchi Machi Nomi Ishikawa 9231293 Japan;
defect density; dislocation distribution; Fourier transform; sampling Moire; phase analysis;
机译:从采样莫尔阶段的GaN原子结构缺陷分布的可视化和自动检测
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在m平面独立GaN衬底上生长的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在M平面独立GaN基材上生长的Ingan / GaN量子井结构的光学性质的影响
机译:incan / GaN异质结构内纳米尺度缺陷和组成波动原子结构的定量评价
机译:基于阻抗的氮化镓(GaN)晶体管半导体结构模型,用于实时检测内部缺陷
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在M平面独立GaN基材上生长的Ingan / GaN量子井结构的光学性质的影响
机译:通过高分辨率Z对比sTEm直接观察GaN中缺陷的原子结构