...
机译:通过在HFO2中引入作为Memristor Synapse设备来提高线性度
Natl Chiao Tung Univ Dept Elect Engn &
Comp Sci Hsinchu 30010 Taiwan;
Tohoku Univ Adv Inst Mat Res WPI Sendai Miyagi 9808577 Japan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Chem Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Inst Sci &
Technol Elect Engn &
Phys Dept Berhampur 761008 Orissa India;
Natl Chiao Tung Univ Dept Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
artificial synaptic; neuromorphic; resistive switching; memristor;
机译:通过在HFO2中引入作为Memristor Synapse设备来提高线性度
机译:连接塑料突触和非线性尖刺神经元的改进的忆耳模型
机译:连接塑料突触和非线性尖刺神经元的改进的忆耳模型(Vol 52,275402,2019)
机译:纳米忆阻器装置作为神经形态系统中突触的综述。
机译:对房间隔穿刺,线性消融和单相动作电位接触力进行实验研究,从而提出了改进医疗器械的建议,以改善消融过程的疗效。
机译:用非线性重量更新的映射器突触的神经网络(SNN)飙升
机译:GD-掺杂的HFO2忆阻器装置,通过图像噪声消除和边缘检测滤波器进行评估鲁棒性,用于神经形态计算
机译:新兴神经形态计算硬件设计的动态线性和非线性忆阻器器件模型分析